[发明专利]用于高密度微波电路组装的金属阻焊膜的制作方法及产物有效
申请号: | 201610951634.4 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN106504998B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 郭育华;宋夏;陈帅;魏晓旻;邱颖霞 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人: | 胡治中 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明方法针对高密度薄膜微波电路组装中焊盘与互连线之间的阻焊膜问题,提供了用于高密度微波电路组装的金属阻焊膜的制作方法及产物。所述制作方法包括:步骤1,清洁基板;步骤2,喷涂光刻胶;步骤3,光刻开窗;步骤4,沉积金属层;步骤5,剥离光刻胶,得到边缘向上翘起的Cr阻焊膜结构。所述的产物,包括微波电路基板、互连线、焊盘和Cr金属阻焊膜;本发明的优点在于:工艺兼容性好,使用薄膜电路基板工艺,即光刻和薄膜金属沉积;与非焊区金属层结合力好,无额外应力;满足窄节距电路的阻焊要求;本发明中的边缘阻焊膜起到增强阻焊的作用,在焊料球的回流焊过程中,防止液态的焊料向互连线溢出。 | ||
搜索关键词: | 用于 高密度 微波 电路 组装 金属 阻焊膜 制作方法 产物 | ||
【主权项】:
1.用于高密度微波电路组装的金属阻焊膜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:清洁基板;将微波电路基板表面清洁,去除表面污垢;步骤2:喷涂光刻胶;在基板的焊盘和互连线上方喷涂光刻胶;步骤3:光刻开窗;进行对准紫外光刻,显影除去传输线上方的光刻胶,并用氧等离子体进行反应离子刻蚀清洁表面;步骤4:沉积金属层;利用热蒸发或磁控溅射方式,在基板表面沉积一层铬金属层,厚度为1‑2um;步骤5:剥离光刻胶;将光刻胶用丙酮溶液进行剥离,去除光刻胶及其上面的Cr金属层,得到边缘向上翘起的Cr阻焊膜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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