[发明专利]一种像素bank结构及制备方法在审
| 申请号： | 201610951736.6 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106531766A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈亚文 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种像素bank结构及制备方法，像素bank结构包括基板、间隔设置在基板上的像素bank以及位于相邻像素bank之间的像素电极，其中，在所述像素bank上靠近像素电极的位置设置有材料堆积缓冲区，所述材料堆积缓冲区与像素电极边缘局部重叠。本发明在现有像素bank结构的基础上，于像素发光区边缘引入材料堆积缓冲区，使得印刷工艺过程中墨水干燥时产生的材料堆积位于此材料堆积缓冲区，而像素发光区形成平整均匀的薄膜，从而有效防止因材料堆积发生在像素发光区，导致像素的实际有效发光区面积减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 bank 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种像素bank结构，其特征在于，包括基板、间隔设置在基板上的像素bank以及位于相邻像素bank之间的像素电极，其中，在所述像素bank上靠近像素电极的位置设置有材料堆积缓冲区，所述材料堆积缓冲区与像素电极边缘局部重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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