[发明专利]一种铜锡硫光吸收层薄膜材料的制备方法在审
申请号: | 201610951908.X | 申请日: | 2016-11-03 |
公开(公告)号: | CN106505114A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 韩修训;徐斌;赵雲;李文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;C03C17/22 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司62002 | 代理人: | 周瑞华 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜锡硫光吸收层薄膜材料的制备方法,具体步骤为1)将0.2~1.0mol/L金属铜盐加入有机溶剂中,搅拌至完全溶解后,加入0.11~0.56mol/L金属锡盐继续搅拌至溶解,最后加入1.6~8.0mol/L的含硫化合物搅拌至完全溶解形成稳定的CTS前驱体溶液;2)将玻璃依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗干净;3)将前驱体溶液旋涂到玻璃基底上,然后在250℃~400℃干燥1~10分钟,反复旋涂沉积;4)待旋涂完毕后将样品置于400℃~600℃退火5分钟~2小时,升温速率为10~50℃/min,自然降温,在退火过程中,持续通保护气体N2,流量为10~35 mL/min,即可得到CTS薄膜。本发明采用一步溶液法制备铜锡硫薄膜,所得铜锡硫薄膜材料致密平整无孔洞,相成分单一。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜锡硫 光吸收 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜锡硫光吸收层薄膜材料的制备方法,其特征在于具体步骤为:1)将0.2~1.0 mol/L金属铜盐加入有机溶剂中,搅拌至完全溶解后,加入0.11~0.56 mol/L金属锡盐继续搅拌至溶解,最后加入1.6~8.0 mol/L的含硫化合物搅拌至完全溶解形成稳定的CTS前驱体溶液;2)将玻璃依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗干净;3)将前驱体溶液旋涂到玻璃基底上,然后在250 ℃~400 ℃干燥1~10分钟,反复旋涂沉积;4)待旋涂完毕后将样品置于400 ℃~600 ℃退火5分钟~2小时,升温速率为10 ~50 ℃/min,自然降温,在退火过程中,持续通保护气体N2,流量为10~35 mL/min,即可得到CTS薄膜。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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