[发明专利]一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610951951.6 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106544635B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 曾飞;傅肃磊;李起;潘峰;王光月 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。所述用于温度补偿声表面波器件的材料为掺杂有Si的非晶TeO2薄膜。所述材料的制备方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法，在衬底上溅射所述掺杂有Si的非晶TeO2薄膜，然后经热处理即得所述材料。在非晶TeO2引入一些Si原子，薄膜中含有Si‑O等基团，调控和改善了TeO2对声表面波器件的温度补偿特性，使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。而且磁控溅射具有成本低、工艺参数方便可调、可连续生产、材料改性方便、无毒无污染等优点，在工艺上更容易实现，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 温度 补偿 表面波 器件 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于温度补偿声表面波器件的材料，其为掺杂有Si的非晶TeO2薄膜；所述材料中各原子的原子数百分比如下：Si 0～2.6％，但不为零；Te 31.5～34％；余量的O。
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