[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201610952159.2 申请日: 2016-11-02
公开(公告)号: CN106683692B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 俞弼善;李知尚;秋教秀 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C7/12
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;韩明花
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括存储单元、位线、页缓冲器和控制逻辑器。页缓冲器通过位线连接到存储单元,页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作。预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作。控制逻辑器被构造为在预期的操作期间在对位线进行预充电之后根据温度来不同地控制位线调试时间。控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期和/或包括基于温度改变的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号来确定位线调试时间。
搜索关键词: 非易失性 存储 装置 及其 操作方法
【主权项】:
一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:存储单元;位线;页缓冲器,通过位线连接到存储单元,页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作,其中,预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作;以及控制逻辑器,被构造为在预期的操作期间根据温度来不同地控制位线调试时间,其中,位线调试时间在预期的操作期间位于对位线进行预充电之后,控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期来确定位线调试时间。
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