[发明专利]切伦科夫辐射器件、制备方法及提取辐射的方法有效
| 申请号： | 201610952634.6 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106569248B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘仿;肖龙;王梦轩;黄翊东;张巍;冯雪;崔开宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01T1/22 | 分类号： | G01T1/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了切伦科夫辐射器件、制备方法及提取辐射的方法。该切伦科夫辐射器件包括：金属周期纳米狭缝结构；双曲超材料结构，所述双曲超材料结构设置在所述金属周期纳米狭缝结构的上表面；电子发射源，所述电子发射源设置在所述双曲超材料结构的上表面，所述电子发射源包括阳极、阴极以及栅极。该切伦科夫辐射器件无需高电压，利用双曲超材料中光的相速度可以比传统材料降低几个量级的特点，从而将切伦科夫辐射产生所需要的电子飞行速度极大地降低，进而降低了切伦科夫辐射器件的生产成本，提高了其安全性能。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射器件 超材料结构 电子发射源 纳米狭缝 上表面 制备 辐射 阴极 金属 阳极 安全性能 传统材料 超材料 高电压 生产成本 飞行 | ||
【主权项】：
1.一种切伦科夫辐射器件，其特征在于，包括：基底；金属周期纳米狭缝结构，所述金属周期纳米狭缝结构设置在所述基底的上表面上；双曲超材料结构，所述双曲超材料结构设置在所述金属周期纳米狭缝结构的上表面；电子发射源，所述电子发射源设置在所述双曲超材料结构的上表面，所述电子发射源包括阳极、阴极以及栅极。
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