[发明专利]一种LED芯片透明电极及其制造方法在审
| 申请号： | 201610952684.4 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106449928A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;刘梦玲;郑晨居;刘星童;高艺霖 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片透明电极及其制造方法，该透明芯片电极由高透射率的超薄金属掺杂银膜构成，超薄金属掺杂银膜由金属Ag掺杂一定比例的具有高功函数的金属采用共溅射的方式形成，通过控制溅射流量的方法控制金属的掺杂比例，控制溅射的时间可控制超薄金属掺杂银膜的厚度，以此方法形成的超薄金属掺杂银膜为单层金属合金，结构简单，该超薄金属掺杂银膜能与P型半导体形成良好的欧姆接触且具有高的透射率，简化了LED芯片的结构，提高了LED芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 透明 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片透明电极，为掺杂具有高功函数的金属的超薄银膜，掺杂的原子比为1‑10%。
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