[发明专利]一种为FLASH存储器芯片提供编程电压的升压电路有效

专利信息
申请号: 201610953518.6 申请日: 2016-11-03
公开(公告)号: CN106504793B 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 赵宏建;周刚 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十七研究所
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30
代理公司: 21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 王倩
地址: 110032 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种为FLASH存储器芯片提供编程电压的升压电路,包括顺序连接的N级升压电路单元、辅助级电路和输出级电路。本发明可以利用N级升压单元,一个辅助级和一个稳压输出级提供FLASH存储器高于电源电压的编程电压,保证了FLASH存储单元在编程操作时具有较高的可靠性,使FLASH存储器能够高效稳定地工作,提高了整个电路系统的性能。
搜索关键词: 一种 flash 存储器 芯片 提供 编程 电压 升压 电路
【主权项】:
1.一种为FLASH存储器芯片提供编程电压的升压电路,其特征在于包括顺序连接的N级升压电路、辅助级电路和输出级电路;/nN级升压电路,用于利用内部产生的高压来控制动态的控制电荷传输管的栅极,输出端Net_N节点输出的电压值至辅助级电路;/n辅助级电路,用于给输出级和N级升压电路中的第N-1级增压单元、第N级增压单元提供偏置电压;/n输出级电路,用于将N级升压电路的输出电压V
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