[发明专利]一种凸点下金属化层构件及制备方法在审

专利信息
申请号: 201610953957.7 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN106356352A 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 王凤江;李东洋;黄瑛 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司32200 代理人: 楼高潮
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种凸点下金属化层构件及制备方法,所述构件包括位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属、位于所述第一层金属上方的第二层金属、位于所述第二层金属上方的第三层金属,其中所述第二层金属与所述第三层金属经过金属热处理工艺后,形成第二层金属与第三层金属的合金层;位于所述合金层上方的第四层金属。还公开了凸点下金属化层的制备方法。本发明公开的凸点下金属化层(UBM)构件简单、制备方法便捷,且能明显抑制界面处Cu‑Sn‑Zn金属间化合物的生长,并能显著提高UBM层焊料连接的抗冲击性能和电子器件可靠性,最优情况下能延长电子元器件一倍以上的使用寿命。
搜索关键词: 一种 凸点下 金属化 构件 制备 方法
【主权项】:
一种凸点下金属化层构件,其特征在于包括:位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属;位于所述第一层金属上方的第二层金属;位于所述第二层金属上方的第三层金属,其中所述第二层金属与所述第三层金属经过金属热处理工艺后,形成第二层金属与第三层金属的合金层;位于所述合金金属层上方的第四层金属,其中所述第四层金属由纯锡或锡合金构成,并且与采用丝网印刷和焊料球滴中的一种沉积的焊料凸点接触。
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