[发明专利]仅空穴有机半导体二极管器件

摘要

本发明涉及一种仅空穴有机半导体二极管器件，包含阳极，阴极，和有机层，所述阳极和阴极为金属、无机物或有机化合物；所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述电子阻挡层，空穴传输层和/或空穴注入层中含有式(I)所述的化合物。器件实验表明，本发明仅空穴有机半导体二极管器件，其空穴传输性能好，电流效率高且稳定，器件寿命长。

主权项

1.一种仅空穴有机半导体二极管器件，包含阳极，阴极，和有机层，所述阳极和阴极为无机物或有机化合物；所述有机层为空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层；所述电子阻挡层，空穴传输层和/或空穴注入层中含有式(I)所述的化合物，其中，R1‑R2独立地表示为氢、C1‑C8取代或未取代的烷基、C2‑C8取代或者未取代的烯烷基、C2‑C8取代或者未取代的炔烷基、或取代或者未取代C6‑C10的芳香基，其中取代基为C1‑C4的烷基或卤素。