[发明专利]一种倒装LED芯片电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610954442.9 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106531863A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;刘梦玲;郑晨居;刘星童;高艺霖 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片电极及其制备方法。一种倒装LED芯片电极由金属掺杂薄膜层组成，金属掺杂薄膜层主体为高反射率的金属材料，通过共溅射的方法在其中掺杂有1~10%具有高功函数的金属材料，由此金属掺杂薄膜层形成的P电极结构简单，不仅具有高的反射率，能有效地提高出光率，还能与P型半导体形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片电极，其特征在于，为金属掺杂薄膜，金属掺杂薄膜的主体为具有高反射率的金属Ag或Al材料，掺杂金属为具有高功函数的金属，掺杂的原子比例为1%~10%。
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