[发明专利]多晶硅层的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201610954680.X | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106548926B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 卜倩倩 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示领域，提供了一种多晶硅层的制备方法为在衬底基板的微晶硅层上沉积一层多孔的金属薄膜；将形成有金属薄膜的衬底基板放入包括有氟化氢和氧化剂的混合溶液中刻蚀；完成刻蚀后，依次用酸溶液及去离子水洗涤，得到处理后的微晶硅层；在所述处理后的微晶硅层上沉积非晶硅层，经激光退火处理，形成多晶硅层。本发明还提供一种薄膜晶体管，其多晶硅层由所述方法制备得到。本发明利用金属薄膜作为催化剂，催化微晶硅层刻蚀，使微晶硅层表面形成生长方向一致，大小均一的硅晶种。在所述硅晶种基础上经过沉积非晶硅并激光退火形成晶粒尺寸350‑360nm,3σ＜140nm的多晶硅，晶粒生长方向一致，有效控制了晶界出现的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板的微晶硅层上沉积一层多孔的金属薄膜；所述金属薄膜采用银、金或者铂；将形成有金属薄膜的衬底基板放入包括有氟化氢和氧化剂的混合溶液中刻蚀；所述混合溶液为氟化氢和氧化铁的混合物或者氟化氢和过氧化氢的混合物；完成刻蚀后，依次用酸溶液及去离子水洗涤去除金属薄膜，得到处理后的微晶硅层；所述酸溶液为4～6mol/L的硝酸；在所述处理后的微晶硅层上沉积非晶硅层，经激光退火处理，形成多晶硅层；所述非晶硅层的厚度为40～50纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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