[发明专利]一种用于中子俘获治疗的中子发生器

摘要

本发明公开了一种用于中子俘获治疗的中子发生器，解决了现有氘氘中子发生器的体积大、结构复杂、产额小的问题。本发明包括真空腔体，设置在真空腔体上的抽真空系统，设置在真空腔体内的靶系统，产生氘离子并将氘离子引出到靶系统上的离子源系统，所述离子源系统包括设置在真空腔体内的放电室（9），设置在放电室（9）上的引出电极（10）；所述引出电极（10）的数量为多个，均匀分布在放电室（9）一周的侧壁上；所述靶系统包括位于真空腔体内且围绕放电室（9）一周的侧壁设置的靶件（11），与靶件（11）连接的负高压电源（13）。本发明的氘氘中子产额达到1012n/s，满足中子俘获治疗肿瘤的研究需求，且具有体积小、寿命长等优点。

主权项

1.一种用于中子俘获治疗的中子发生器，包括真空腔体，设置在真空腔体上的抽真空系统，设置在真空腔体内的靶系统，将离子引导到靶系统上的离子源系统，其特征在于，所述离子源系统包括设置在真空腔体内的放电室(9)，设置在放电室(9)上的引出电极(10)；所述引出电极(10)为多孔，均匀分布在放电室(9)一周的侧壁上；所述靶系统包括位于真空腔体内且围绕放电室(9)一周的侧壁设置的靶件(11)，与靶件(11)连接的负高压电源(13)；所述离子源系统还包括微波发生器(1)，一端与微波发生器(1)连接，另一端延伸到放电室(9)内的波导(4)，设置在波导(4)上的微波调谐器(3)，与波导(4)连接的环形器(2)，通过连接管与放电室(9)连通的氘气瓶(7)，设置在真空腔体上或真空腔体外的陶瓷绝缘体(8)，以及设置真空腔体外且用于产生作用于放电室(9)的磁场的永磁体(12)；所述永磁体(12)为环状结构，该环状结构的永磁体(12)套接在陶瓷绝缘体(8)上；所述陶瓷绝缘体(8)、放电室(9)和靶件(11)同轴设置，陶瓷绝缘体(8)、放电室和靶件(11)均为筒状结构，靶件(11)位于陶瓷绝缘体(8)内，放电室(9)位于靶件(11)内，永磁体(12)位于真空腔体外。