[发明专利]一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法在审
| 申请号： | 201610955143.7 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106449929A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 万巍;陈湛旭 | 申请（专利权）人： | 广东技术师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510665 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高LED芯片(发光二极管)出光效率的制备工艺方法，将纳米图形化透明电极和铺覆介质纳米球的方法结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化透明电极，然后铺覆单层的介质纳米球。该工艺步骤为：1)首先纳米图形化LED基片的透明电极ITO层，刻蚀出周期性的纳米柱阵列；2)然后在上述ITO纳米柱阵列层表面制备单层密排的介质纳米球阵列。本发明的设计原理简单，制备方法巧妙，是在已经纳米图形化透明电极的基础上再铺覆一层介质纳米球阵列，从而进一步提高纳米图形化透明电极的LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 芯片 效率 制备 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种提高LED芯片出光效率的制备工艺方法，其特征在于：将纳米图形化透明电极和铺覆介质纳米球的方法结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化透明电极，然后铺覆单层的介质纳米球。
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