[发明专利]抑制EMD端点效应的方法有效
| 申请号： | 201610955249.7 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106503366B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郝如江;李非;吴洋;李辉;沈英明 | 申请（专利权）人： | 石家庄铁道大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050043 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制EMD端点效应的方法，涉及信号处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：利用SVM对原始信号两端进行延拓；对未延拓的数据加矩形窗处理，延拓数据加海明窗处理；对加窗处理后的数据进行EMD分解，把分解得到的IMF分量的两端延拓部分去掉，得到原始信号真实的IMF分量。所述方法采用SVM延拓和窗函数相结合的方法，弥补了SVM延拓依然找不到端点以及窗函数会改变原始信号的缺点，解决了EMD分解过程中端点效应引起的失真现象。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 emd 端点 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制EMD端点效应的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：/n利用SVM对原始信号两端进行延拓；/n对未延拓的数据加矩形窗处理，延拓数据加海明窗处理；/n对加窗处理后的数据进行EMD分解，把分解得到的IMF分量的两端延拓部分去掉，得到原始信号真实的IMF分量；/n所述的步骤利用SVM对原始信号两端进行延拓中支持向量机模型SVM的构造方法包括如下步骤：/n参数设置：选择精度参数ε、惩罚参数C、损失函数e和适当的核函数k(x
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