[发明专利]一种低功耗磁性存储单元在审
| 申请号： | 201610955485.9 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106449970A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王昭昊;赵巍胜;林晓阳;粟傈;张磊 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种低功耗磁性存储单元，该存储单元从下到上由厚度为0～20nm的重金属条状薄膜，厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm的第一电极共六层构成；重金属条状薄膜的两端分别镀有第二电极和第三电极；其中，位于重金属条状薄膜上方的五层物质构成磁性隧道结。本发明采用单向电流写入数据，简化了存储器和逻辑电路设计，提高了电路集成度，降低了存储单元的功耗，有利于减少工艺的复杂度和制造成本；本发明采用不同的支路写入数据，便于对不同数据的写入操作进行独立的优化和设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 磁性 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种低功耗磁性存储单元，其特征是：该存储单元从下到上由厚度为0～20nm的重金属条状薄膜，厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm的第一电极共六层构成；重金属条状薄膜的两端分别镀有第二电极和第三电极；其中，位于重金属条状薄膜上方的五层物质构成磁性隧道结。
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