[发明专利]一种防指纹手机触摸屏彩色镀膜工艺在审

专利信息
申请号: 201610955711.3 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN106544644A 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 周光惠;张祥林;钟少芬 申请(专利权)人: 广东星弛光电科技有限公司
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/50;C03C17/34
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司44215 代理人: 张明
地址: 523330 广东省东莞市石排镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种防指纹手机触摸屏彩色镀膜工艺,涉及一种手机触摸屏镀膜工艺。本发明是要解决现有防指纹手机触摸屏生产方法中容易出现防指纹膜与ITO膜之间粘接不良进而影响触摸屏颜色显示的问题。方法一、对基片进行超声清洗,再进行平板清洗,然后热烘干燥,得到洁净的基片;二、将步骤一得到的洁净的基片放入沉积室中,通过O2和Ar辉光放电对基片进行刻蚀与活化;三、利用硅氮烷高温裂解形成SiOx,在步骤二处理后的基片表面沉积SiOx缓冲层;四、通过对O2辉光放电,对SiOx缓冲层进行刻蚀和补充O形成SiO2缓冲层;五、然后在SiO2缓冲层表面镀ITO膜;六、在ITO膜表面沉积触摸屏用防指纹膜。本发明用于防指纹触摸屏领域。
搜索关键词: 一种 指纹 手机 触摸屏 彩色 镀膜 工艺
【主权项】:
一种防指纹手机触摸屏彩色镀膜工艺,其特征在于包括以下步骤:一、对基片进行超声清洗,再进行平板清洗,然后热烘干燥,得到洁净的基片;二、将步骤一得到的洁净的基片放入PECVD沉积室中,通过O2和Ar辉光放电对基片进行刻蚀与活化;三、利用硅氮烷高温裂解形成SiOx,在步骤二处理后的基片表面沉积SiOx缓冲层;四、通过对O2辉光放电,对SiOx缓冲层进行刻蚀和补充O形成SiO2缓冲层;五、然后在SiO2缓冲层表面镀ITO膜;六、在ITO膜表面沉积触摸屏用防指纹膜:抽真空至压力为1.0×10‑5mbar ‑6.0×10‑5mbar,30~45s内将灯丝电流由0A提升至260‑290A,开始沉积触摸屏用防指纹膜,沉积时间为100~170s,沉积厚度为10‑30nm。
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