[发明专利]一种纳米片自组装钴铁氢氧化物及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米片自组装钴铁氢氧化物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、以Co²⁺、Fe³⁺、NO₃^‑为溶质离子配制电沉积溶液；步骤S2、将泡沫镍作为阴极，石墨片作为阳极分别浸入电沉积溶液中，进行沉积，得到电沉积产物；步骤S3、将步骤S2制得的电沉积产物进行清洗；步骤S4、将步骤S3制得的试样烘干。本发明还公开了上述制备方法制成的纳米片自组装钴铁氢氧化物。本发明制备方法具有简单、高效、成本低、环境污染小等特点，有利于规模化工艺生产。本发明制备的纳米片钴铁氢氧化物大大增加纳米片结构的稳定性，同时使得其作为电极材料时活性比表面积显著提升，提高了离子在电极材料中的的传输速率。

主权项

1.一种纳米片自组装钴铁氢氧化物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、以Co2+、Fe3+、 NO3‑ 为溶质离子配制电沉积溶液；所述电沉积溶液中的Co2+浓度为0.05 ~ 1.5 mol/L，Co2+与Fe3+摩尔浓度比为2:1；步骤S2、将泡沫镍作为阴极，石墨片作为阳极分别浸入电沉积溶液中，进行沉积，沉积电压为2V，时间为120s，得到电沉积产物；所述泡沫镍具有三维网孔结构，石墨片为双层石墨片，其尺寸与泡沫镍一致；步骤S3、将步骤S2制得的电沉积产物进行清洗；步骤S4、将步骤S3制得的试样烘干，烘干温度为30℃，烘干时间为6h得到该纳米片自组装钴铁氢氧化物；具有典型水滑石晶体结构，由厚度为3 ~ 5 nm的纳米薄片在泡沫镍表面交错生长构成；所述纳米片自组装钴铁氢氧化物作为电极材料测得质量比电容值2999.3 F/g，阻抗为0.67 Ω，经过20000次充放电循环后，电容保持率仍具有75.8 %。