[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610956760.9 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106571306A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘凤举 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括提供基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行热氧化，以使得所述非晶硅层的远离所述缓冲层的表面形成一层氮化硅层；对所述非晶硅层进行处理使其中的非晶硅转变为多晶硅，以使得所述非晶硅层转变为多晶硅层，并用包含氢离子的等离子体处理多晶硅的表面，使得氢离子与多晶硅中的硅原子悬空键结合；对所述氮化硅层进行蚀刻，使得蚀刻后的所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层，以此不需要高温退火即可填补多晶硅中的硅离子悬空键，简化了工艺流程并防止了栅绝缘层在高温退火下发生剥落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：提供基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行热氧化，以使得所述非晶硅层的远离所述缓冲层的表面形成一层氮化硅层；对所述非晶硅层进行处理使其中的非晶硅转变为多晶硅，以使得所述非晶硅层转变为多晶硅层，并用包含氢离子的等离子体处理多晶硅的表面，使得氢离子与多晶硅中的硅原子悬空键结合；及对所述氮化硅层进行蚀刻，使得蚀刻后的所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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