[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201610956921.4 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106653852A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 江宏礼;叶致锴;彭成毅;陈自强;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包含N型垂直式场效晶体管和P型垂直式场效晶体管。N型垂直式场效晶体管包含第一垂直条状结构配置于基板上方，且包含第一侧壁和第二侧壁；栅极沿第一垂直条状结构的第一侧壁配置；第二垂直条状结构电性耦接至第一垂直条状结构；以及第二源极/漏极特征配置于第一垂直条状结构上方。P型垂直式场效晶体管包含第三垂直条状结构配置于基板上且包含第三侧壁和第四侧壁；栅极沿第三垂直条状结构的第三侧壁配置；第四垂直条状结构电性耦接至第三垂直条状结构；以及第四源极/漏极特征配置于第三垂直条状结构上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一垂直条状结构，配置于一基板上方，其中该第一垂直条状结构包含一第一侧壁及一相对的第二侧壁；一第一栅极特征，沿该第一垂直条状结构的该第一侧壁配置而使该第一栅极特征电性耦接至该第一垂直条状结构；一第二垂直条状结构，配置于该基板上方，其中该第二垂直条状结构电性耦接至该第一垂直条状结构并作为一第二栅极特征；一第一源极/漏极特征，配置于该第一垂直条状结构下方的该基板中；以及一第二源极/漏极特征，配置于该第一垂直条状结构的上方。
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