[发明专利]一种调控MRAM材料阻尼因子的方法有效
| 申请号： | 201610957180.1 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108008326B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;黄大威;阮学忠 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;G11B5/62 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种通过改变MgO/CoFeB/Ta生长顺序来调节CoFeB薄膜阻尼因子的方法。该结构不仅表现出较好的垂直各向异性，而且阻尼因子可调性好，因此是一种可用于生产磁性随机存储(MRAM)器件的关键材料。本发明利用磁控溅射生长出Ta/CoFeB/MgO和MgO/CoFeB/Ta两种超薄膜并利用时间分辨磁光克尔效应(TRMOKE)测试材料的阻尼因子。Ta/CoFeB/MgO的阻尼因子(α)的值是0.017，而MgO/CoFeB/Ta的是0.027，由于阻尼因子改变大，这种材料很适合提高磁存储介质的读写速度。本发明中涉及到的样品结构依次是衬底、缓冲层、磁性层和覆盖层。飞秒脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，泵浦功率密度为3.54mJ/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 调控 mram 材料 阻尼 因子 方法 | ||
【主权项】：
1.通过改变Ta/CoFeB/MgO材料体系的生长次序来改变该阻尼因子，其特征在于CoFeB/MgO界面形成垂直各向异性，并且Ta/CoFeB界面形成的上下位置在飞秒激光照射时对进动的影响不同，进而改变阻尼因子。
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