[发明专利]一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器在审
| 申请号： | 201610957389.8 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106533375A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 谢生;谷由之;毛陆虹;吴思聪;高谦 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/24;H03F3/45 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 李林娟 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器，所述伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器包括使用差分结构放大级替换传统RGC结构的共源级辅助放大级，整体结构仍然使用单端输出；将差分结构放大级MOS管的源极分别增加一个电阻R和电容C构成伪差分结构，利用容性退化技术产生的零点来抵消极点，提高电路的整体带宽。本发明利用引入新的零点来抵消电路极点，进而拓展工作频带。通过对电路元器件参数的调节和优化，在保证跨阻放大器整体增益不降低的前提下，提升电路带宽，实现一种高带宽、伪差分结构的RGC跨阻放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带宽 伪差分 结构 调节 型共源共栅跨阻 放大器 | ||
【主权项】：
一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器，其特征在于，所述伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器包括：使用差分结构放大级替换传统RGC结构的共源级辅助放大级，整体结构仍然使用单端输出；将差分结构放大级MOS管的源极分别增加一个电阻R和电容C构成伪差分结构，利用容性退化技术产生的零点来抵消极点，提高电路的整体带宽。
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