[发明专利]一种原子层沉积修饰的锂离子电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201610957447.7 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106384838A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 顾海涛;周欣彬;谢朝香;简德超;田文生;王可 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01M10/0525 | 分类号： | H01M10/0525;H01M4/04;H01M4/139 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）修饰的锂离子电池及其制备方法，本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 沉积 修饰 锂离子电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种原子层沉积修饰的锂离子电池，其特征在于，正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。
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