[发明专利]一种基于趋肤效应的铁磁性导体磁化曲线测量方法及系统在审

专利信息
申请号: 201610957453.2 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN106443527A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 杨勇;杨文璐;杨远聪;安虹宇;王华俊 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立;陈振玉
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区鲁磨路3*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种基于趋肤效应的铁磁性导体磁化曲线测量方法及系统,其系统包括信号源单元、电压检测单元和主控制单元。信号源单元连接在待测样品两端,为待测样品提供直流偏置电流和交流激励电流;电压检测单元检测待测样品上两个目标检测点之间的电压信号;主控制单元计算待测样品的电阻率和待测样品在对应偏置电流下的相对磁导率;还计算磁场强度和/或磁感应强度,并绘制待测样品的磁化曲线。本发明实现了铁磁性导体材料相对磁导率以及磁化曲线的无损检测,检测方便,灵敏度较高,测试稳定可靠。
搜索关键词: 一种 基于 趋肤效应 铁磁性 导体 磁化 曲线 测量方法 系统
【主权项】:
一种基于趋肤效应的铁磁性导体磁化曲线测量方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:在半径为r的圆柱形待测样品两端加上直流偏置电流IDC(i)和交流激励电流IAC,并在待测样品上选取相距为L的两个目标检测点,检测两个所述目标检测点之间的低频电阻值R0(i);步骤2:根据待测样品上所述两个所述目标检测点之间的的低频电阻值R0(i)、两个所述目标检测点间距L和待测样品半径r计算待测样品的电阻率ρ;步骤3:检测待测样品上两个所述目标检测点之间的高频电阻值R(i);步骤4:根据待测样品上两个所述目标检测点之间的低频电阻值R0(i)、高频电阻值R(i)、半径r和电阻率ρ计算待测样品的相对磁导率μr(i);步骤5:改变直流偏置电流IDC(i)的大小和方向,重复步骤1至4,检测不同直流偏置电流IDC(i)时的相对磁导率μr(i);步骤6:根据直流偏置电流IDC(i)以及相对磁导率μr(i)计算磁场强度H(i)和磁感应强度B(i),并绘制待测样品的磁化曲线μr(i)~H(i)和/或B(i)~H(i)。
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