[发明专利]减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法在审
| 申请号： | 201610957469.3 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106449398A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 顾晶伟;陆益;李超;刘宗帅 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，依次包括底膜预处理、一次光刻、二次光刻和湿法腐蚀，使得基片进行湿法腐蚀前进行两次光刻胶保护。本发明的减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，在通过不增加其它任何设备的情况下，在现有的生产条件下，提高湿法腐蚀质量。本发明在一次光刻后，湿法腐蚀前，进行第二次光刻，得到两次完全重合的光刻图形。通过两次光刻后，得到较厚的光刻胶膜，能有效阻挡腐蚀液穿透光刻胶膜，避免腐蚀液与衬底发生反应，减少钻蚀，在不降低图形分辨率的情况下，提高光刻胶膜厚度，减少湿法腐蚀后的钻蚀量。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 光刻 湿法 腐蚀 钻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，其特征在于，该工艺方法依次包括底膜预处理、一次光刻、二次光刻和湿法腐蚀，使基片进行湿法腐蚀前进行两次光刻胶保护。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽富芯微电子有限公司，未经安徽富芯微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610957469.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
