[发明专利]MOSFET隔离驱动电荷泵

摘要

一种MOSFET的隔离驱动电荷泵，功能上讲是一种电压平移电荷泵，属于信号、电源复用的电荷泵。输入端、输出端是同相、同步控制的。主要应用在单管MOSFET、共源接法双向MOSFET的隔离驱动场合，或作为提供隔离电源的隔离电荷泵使用。比如在交流回路中有多个双向MOSFET，如果使用MOSFET驱动芯片则需要复杂的隔离系统，并且需要隔离供电电源，有多少个MOSFET就必须使用多少个驱动芯片、多少路隔离电源，不然就使用高压驱动方案。而使用MOSFET隔离驱动电荷泵驱动它们则无需隔离系统、隔离供电电源，因为MOSFET隔离驱动电荷泵本身就是电源、信号复用的同相、同步驱动的MOSFET隔离驱动电荷泵，驱动功耗等同于驱动电路与MOSFET共地的驱动功耗。

主权项

一种MOSFET隔离驱动电荷泵，其特征为：输入的一端(IN+)连接PNP晶体管1(Q1)的发射极，PNP晶体管1(Q1)的基极连接电阻1(R1)的一端，电阻1(R1)的另一端连接NPN晶体管1(Q2)的基极，NPN晶体管1(Q2)的发射极连接输入的另一端(IN‑)；PNP晶体管1(Q1)的集电极连接二极管1(D1)的正极，二极管1(D1)的负极连接包括电阻2(R2)的一端、二极管3(D3)的正极、PNP晶体管2(Q3)的基极，二极管3(D3)的负极、PNP晶体管2(Q3)的发射极均连接电容1(C1)的一端，电容1(C1)的另一端连接包括二极管4(D4)的正极、NPN晶体管2(Q4)的发射极，电阻2(R2)的另一端、NPN晶体管2(Q4)的基极、二极管4(D4)的负极均连接到二极管2(D2)的正极，二极管2(D2)的负极连接NPN晶体管1(Q2)的集电极；PNP晶体管2(Q3)的集电极连接二极管5(D5)的正极，二极管5(D5)的负极连接包括二极管7(D7)的正极、PNP晶体管3(Q5)的基极，二极管7(D7)的负极、PNP晶体管3(Q5)的发射极均连接到电容2(C2)的一端，电容2(C2)的另一端连接包括二极管8(D8)的负极、NPN晶体管3(Q6)的基极，二极管8(D8)的正极、NPN晶体管3(Q6)的发射极均连接二极管6(D6)的正极，二极管6(D6)的负极连接NPN晶体管2(Q4)的集电极；PNP晶体管3(Q5)的集电极、NPN晶体管3(Q6)的集电极均连接输出的一端(OUT+)，输出的另一端(OUT‑)连接二极管6(D6)的正极。