[发明专利]半导体分立器件贮存寿命特征检测方法和系统

摘要

本发明涉及一种半导体分立器件贮存寿命特征检测方法和系统，包括以下步骤：获取试验样品，对试验样品进行失效检测并分类，得到合格样品集和失效样品集，对合格样品集进行贮存可靠性特征检测分析得到第一分析结果，对失效样品集进行失效分析得到第二分析结果，根据第一分析结果和第二分析结果得到试验样品的贮存寿命状态。通过对合格样品集进行贮存可靠性特征检测分析判断合格样品集中是否存在有贮存退化失效特征的试验样品，以及对失效样品集进行失效分析判断失效样品集中是否存在有贮存失效信息的试验样品，根据分析结果得到试验样品的贮存寿命状态，通过上述科学的贮存寿命考核方法，有效准确评估试验样品的贮存寿命状态。

主权项

1.一种半导体分立器件贮存寿命特征检测方法，其特征在于，包括以下步骤：获取试验样品，对所述试验样品进行失效检测并分类，得到合格样品集和失效样品集，所述失效检测为外观检测、电参数检测或压力测试；对所述合格样品集进行贮存可靠性特征检测分析得到第一分析结果，所述贮存可靠性特征分析遵循非破坏性分析到破坏性分析的原则，包括：X射线检查、粒子碰撞噪声检测、密封、内部气体成分分析、内部目检、扫描电子显微镜检查、键合强度和剪切强度分析；对所述失效样品集进行失效分析得到第二分析结果，所述失效分析包括失效环境调查、失效样品保护、外观检查、电测、应力试验分析、故障模拟分析、非破坏性分析和破坏性分析；根据所述第一分析结果和所述第二分析结果得到所述试验样品的贮存寿命状态；所述根据所述第一分析结果和所述第二分析结果得到所述试验样品的贮存寿命状态的步骤，包括：根据所述第一分析结果判断所述合格样品集中是否存在有贮存退化失效特征的试验样品；根据所述第二分析结果判断所述失效样品集中是否存在有贮存失效信息的试验样品；若所述合格样品集中存在有贮存退化失效特征的试验样品，所述失效样品集中存在有贮存失效信息的试验样品，则所述试验样品的贮存寿命状态为有贮存退化失效特征；若所述合格样品集中存在有贮存退化失效特征的试验样品，所述失效样品集无贮存失效信息的试验样品，则所述试验样品的贮存寿命状态为有贮存退化失效特征；若所述合格样品集中无贮存退化失效特征的试验样品，所述失效样品集存在有贮存失效信息的试验样品，则所述试验样品的贮存寿命状态为有贮存退化失效特征；若所述合格样品集中无贮存退化失效特征的试验样品，所述失效样品集无贮存失效信息的试验样品，则所述试验样品的贮存寿命状态为无贮存退化失效特征。