[发明专利]一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备

摘要

本发明提供一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备，包括真空室以及置于真空室进气端的高密度等离子体源和置于真空室抽气端的用于放置样品的沉积底座，所述高密度等离子体源包括加热丝、热阴极发射源片以及布置在加热丝和热阴极发射源片外围的屏蔽结构，该高密度等离子体源激发出弧光放电等离子体，对沉积底座上的样品进行固体薄膜的沉积；所述沉积底座包括可旋转的基座、置于基座上的衬底以及置于基座下端的恒温控制模块。本发明所阐述的等离子体密度比市面上现有的辉光放电等离子体提高10~100倍，应用于化学气相沉积固体薄膜时生产效率会提高10~100倍，而且等离子体温度高，膜层的附着力强，膜组织致密，膜的厚度及成分均匀性好。

主权项

一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备，包括真空室(10)以及置于真空室进气端的高密度等离子体源(20)和置于真空室抽气端的用于放置样品的沉积底座(30)，其特征在于，所述高密度等离子体源(20)包括加热丝(21)、热阴极发射源片(22)，以及布置在加热丝和热阴极发射源片外围的屏蔽结构(23)，该高密度等离子体源激发出弧光放电等离子体，对沉积底座上的样品进行固体薄膜的沉积；所述沉积底座(30)包括可旋转的基座(31)、置于基座上的衬底(32)以及置于基座下端的恒温控制模块(33)。