[发明专利]磁性隧道结(MTJ)和方法，以及使用其的磁性随机存取存储器(MRAM)有效
| 申请号： | 201610957985.6 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107093449B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 朱晓春;马修·诺瓦克;李霞;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01F10/32;H01L43/08;H01L27/22;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性隧道结MTJ及其形成方法，以及使用其的磁性随机存取存储器(MRAM)。钉扎层安置于所述MTJ中，使得所述MTJ的自由层可在存取晶体管提供于磁性随机存取存储器MRAM位单元中时耦合到所述存取晶体管的漏极。此结构更改写入电流流动方向以对准所述MTJ的写入电流特性与使用所述MTJ的MRAM位单元的写入电流供应能力。结果，可提供更多写入电流以将所述MTJ从平行P状态切换到反平行AP状态。反铁磁性材料AFM层提供于所述钉扎层上以固定钉扎层磁化。为了提供足够用于沉积所述AFM层以保证钉扎层磁化的区域，提供具有大于所述自由层的自由层表面区域的钉扎层表面区域的钉扎层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 mtj 方法 以及 使用 随机存取存储器 mram | ||
【主权项】：
一种磁性随机存取存储器MRAM位单元，其包含：存取晶体管，其具有栅极、源极和漏极；磁性隧道结MTJ，其包含：第一电极和第二电极；隧道势垒，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；自由层，其位于所述第二电极与所述隧道势垒之间；以及钉扎层，其位于所述第一电极与所述隧道势垒之间；其中写入线耦合到所述栅极，所述第二电极直接耦合到所述漏极，且位线直接耦合到所述第一电极。
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