[发明专利]深能级快速离化导通器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法，属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片，所述N型半导体基片的正面为P型扩散区，所述P型扩散区上分布阴极P⁺区、阴极N⁺区和P⁺保护环，在所述阴极P⁺区、阴极N⁺区和P⁺保护环上覆盖阴极金属电极；所述N型半导体基片的背面分布阳极P⁺区、阳极N⁺区和N⁺保护环，在阳极P⁺区、阳极N⁺区和N⁺保护环之上覆盖阳极金属电极。本发明中的器件具有很高的工作电压、工作电流，深能级陷阱将快速释放出离化电子，电流上升率高、导通速度快，能够在亚纳秒级的时间内开关上千安培的电流，具有较高的可靠性，可广泛应用于高功率脉冲源系统中。

主权项

1.一种深能级快速离化导通器件，其特征在于，包括N型半导体基片(1)，所述N型半导体基片(1)的正面为P型扩散区(2)，所述P型扩散区(2)上分布阴极P+区(5)、阴极N+区(4)和P+保护环(3)，在所述阴极P+区(5)、阴极N+区(4)和P+保护环(3)上覆盖阴极金属电极(6)；所述N型半导体基片(1)的背面分布阳极P+区(8)、阳极N+区(9)和N+保护环(7)，在阳极P+区(8)、阳极N+区(9)和N+保护环(7)之上覆盖阳极金属电极(10)。