[发明专利]一种提高磁控溅射镀膜质量的方法在审
| 申请号： | 201610958201.1 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106319468A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘宗帅;陆益;顾晶伟;李超 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及物理气相淀积技术领域，具体涉及一种提高磁控溅射镀膜质量的方法，包括以下步骤：步骤一，装片，将基片装置烘烤腔，抽真空至一定值，关粗抽阀，开高阀；步骤二，将烘烤腔抽至高真空，打开烘烤灯，在一定温度下对基片烘烤一定时间；步骤三，继续抽真空至一定值，通氩气，溅射；步骤四，溅射完毕后，把基片传至冷却腔内，在一定温度下冷却一定时间；步骤五，关高阀，对冷却腔充氮气，破腔，取出产品。本发明的提高磁控溅射镀膜质量的方法，能获得致密性强、均匀性好、稳定性强、附着力强的镀膜。全面提高了膜的质量，该方法镀膜质量优良，具有优良的综合性应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁控溅射 镀膜 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种提高磁控溅射镀膜质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，装片，将基片装置烘烤腔，抽真空至一定值，关粗抽阀，开高阀；步骤二，将烘烤腔抽至高真空，打开烘烤灯，在一定温度下对基片烘烤一定时间；步骤三，继续抽真空至一定值，通氩气，溅射；步骤四，溅射完毕后，把基片传至冷却腔内，在一定温度下冷却一定时间；步骤五，关高阀，对冷却腔充氮气，破腔，取出产品。
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