[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610958506.2 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107994065B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区和隔离区，所述隔离区与器件区邻接，所述隔离区的半导体衬底中具有隔离层；在器件区的半导体衬底上形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构和隔离层之间的半导体衬底中形成源漏应力层；形成源漏应力层后，在隔离层表面形成保护层；形成保护层后，进行中间处理步骤；进行中间处理步骤后，去除保护层；去除保护层后，采用自对准硅化工艺在源漏应力层上形成金属硅化物层。所述方法能够提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区和隔离区，所述隔离区与器件区邻接，所述隔离区的半导体衬底中具有隔离层；在器件区的半导体衬底上形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构和隔离层之间的半导体衬底中形成源漏应力层；形成源漏应力层后，在隔离层表面形成保护层；形成保护层后，进行中间处理步骤；进行中间处理步骤后，去除保护层；去除保护层后，采用自对准硅化工艺在源漏应力层上形成金属硅化物层。
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