[发明专利]一种提升硅片均匀度的晶圆清洗承托装置在审
| 申请号： | 201610958510.9 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106298597A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 佟金刚;李阳柏;张传民;倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B13/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种提升硅片均匀度的晶圆清洗承托装置，包括：承托装设；加热电阻丝，设置于所述承托装设内部；温度回馈系统，设置于所述承托装设上，其中所述加热电阻丝用于对布置在所述承托装设上的单片晶圆进行加热，所述温度回馈系统用于侦测晶圆温度的环形分布，使晶圆加热均匀。本发明提出的提升硅片均匀度的晶圆清洗承托装置，能够在清洗流程中均匀加热晶圆，使晶圆的温度分布均匀，从而提高晶圆的表面的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 硅片 均匀 清洗 承托 装置 | ||
【主权项】：
一种提升硅片均匀度的晶圆清洗承托装置，其特征在于，包括：承托装设；加热电阻丝，设置于所述承托装设内部；温度回馈系统，设置于所述承托装设上，其中所述加热电阻丝用于对布置在所述承托装设上的单片晶圆进行加热，所述温度回馈系统用于侦测晶圆温度的环形分布，使晶圆加热均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
