[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610958568.3 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106653825A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉;O·黑伯伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L29/201 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括基于III族氮化物的增强型高电子迁移率晶体管，其包括漏极、栅极、阻挡层、沟道层以及布置在沟道层上并且与沟道层之间形成能够支持二维电子气(2DEG)的异质结的阻挡层。阻挡层的厚度和组成中的任一项被配置为与沟道区域外部的2DEG密度相比减小沟道区域中的2DEG密度，其中沟道区域布置在栅极下方并且延伸超越漏极侧栅极边缘达距离d。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基于III族氮化物的增强型高电子迁移率晶体管，包括：漏极；栅极；沟道层；以及阻挡层，被布置在所述沟道层上，与所述沟道层之间形成异质结；其中所述阻挡层的厚度和组成中的至少一项被配置为与所述沟道区域的外部的2DEG密度相比减小在沟道区域中的2DEG密度，其中所述沟道区域被布置在所述栅极下方并且延伸超越漏极侧栅极边缘达距离d。
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