[发明专利]一种苯、蒽并噻咯衍生物有机光电材料及其合成方法有效
申请号: | 201610958842.7 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN106543214B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 曲红梅;张昕;李君秋;陈旭;种泽鹏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C07F7/08 | 分类号: | C07F7/08;C09K11/06;H01L51/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李丽萍 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种苯、蒽并噻咯衍生物有机光电材料,利用金属茂锆类配合物以及丁基锂对烯烃聚合的催化作用,通过无水无氧反应合成一种苯基硅烷;利用CuCl的催化作用合成一种硅杂芴化合物;利用LiAlH4的还原性,将酯基还原为羟基;利用DDQ的氧化性合成一种苯、蒽并噻咯衍生物光电材料。较一般的有机光电材料,其苯蒽并噻咯并环增多,π‑共轭体系更大,在理论上会有更好的电致发光性能。在合成工艺中,以邻溴碘苯为原料,合成硅桥联二炔;锆诱导硅桥联二炔,生成炔烃的环加成反应,条件易达到,时间短,收率高。较现有的相应材料的合成方法,使用丁基锂以及茂锆类配合物催化,其催化活性和收率更高,并且使用的原料更廉价易得。 | ||
搜索关键词: | 一种 衍生物 有机 光电 材料 及其 合成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种苯、蒽并噻咯衍生物有机光电材料的合成方法,该苯、蒽并噻咯衍生物有机光电材料是结构式如下的化合物,其中,Pr为正丙基;其特征在于,该苯、蒽并噻咯衍生物有机光电材料的合成包括以下步骤:步骤一、制备硅桥联二炔:以邻溴碘苯为底物,以PdCl2(PPh3)2和CuI为催化剂,三乙胺为溶剂,烷基化反应后,以正丁基锂为锂化试剂,Me2SiCl2为硅烷基化试剂,进行硅烷基化反应,以锂化炔苯为烷基化试剂,在‑78℃下反应20小时,得到硅桥联二炔粗产物;经柱层析分离后得到硅桥联二炔;其中,硅桥联二炔的结构为:步骤二、制备硅杂芴化合物:以硅桥联二炔为底物,Cp2ZrBu2为催化剂,四氢呋喃为溶剂,合成锆杂环化合物,以CuCl为催化剂,乙炔二甲酸二甲酯为底物,在50℃下反应15分钟,用饱和氯化铵溶液洗涤、乙酸乙酯萃取、旋蒸、柱层析分离,得到硅杂芴化合物;其中,硅杂芴化合物的结构为:步骤三、制备邻羟甲基硅杂芴化合物:以硅杂芴化合物为底物,LiAlH4为还原剂,四氢呋喃为溶剂,在0℃下反应30分钟,用水洗,再用稀盐酸洗,乙酸乙酯萃取,用饱和碳酸氢钠溶液洗涤,干燥、旋蒸,得邻羟甲基硅杂芴化合物;其中,邻羟甲基硅杂芴化合物的结构为:步骤四、制备邻溴甲基硅杂芴化合物:以邻羟甲基硅杂芴化合物为底物,PBr3为溴化剂,1,2‑二氯乙烷为溶剂,在室温下反应12小时,水洗、乙酸乙酯萃取、干燥、旋蒸、柱层析分离,得邻溴甲基硅杂芴化合物;其中,邻溴甲基硅杂芴化合物的结构为:步骤五、制备邻炔甲基硅杂芴化合物:以邻溴甲基硅杂芴化合物为底物,1‑戊炔或苯乙炔为炔化试剂,正丁基锂为锂化试剂,四氢呋喃为溶剂,在‑78℃下反应20小时,用稀盐酸洗涤、乙酸乙酯萃取、饱和碳酸氢钠溶液洗涤、干燥、旋蒸、柱层析分离,得邻炔甲基硅杂芴化合物;其中,邻炔甲基硅杂芴化合物的结构为:步骤六、制备邻代甲氧羰基苯并硅杂芴衍生物:以邻炔甲基硅杂芴化合物为底物,Cp2ZrBu2为催化剂,四氢呋喃为溶剂,合成锆杂环化合物,以CuCl为催化剂,乙炔二甲酸二甲酯为底物,在室温下反应13小时,用饱和氯化铵溶液洗涤、乙酸乙酯萃取、旋蒸、柱层析分离,得邻代甲氧羰基苯并硅杂芴衍生物;其中,邻代甲氧羰基苯并硅杂芴衍生物的结构为:步骤七、制备苯、蒽并噻咯衍生物:以邻代甲氧羰基苯并硅杂芴衍生物为底物,2,3‑二氯‑5,6‑二氰基‑1,4‑苯醌为氧化剂,均三甲苯为溶剂,在150℃下反应3小时,旋蒸、柱层析分离,得苯、蒽并噻咯衍生物。
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