[发明专利]高反射率LED电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610958903.X | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106328781B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 邹贤军 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了高反射率LED电极及其制备方法，该制备方法是通过电子束真空蒸发的镀膜方式蒸镀电极，蒸镀电极膜层的先后顺序为Ni/Al/Rh/Ti/Ni/Au。与现有的反射电极结构相比，本电极增加了Rh层，在与卤素元素的化学药品接触时增加了稳定性，由此可有效降低电极翘起或掉电极等异常的发生，并且与传统的Ni/Au结构或者Cr/Pt/Au相比，本高反射率电极提升LED芯片亮度约2％。 | ||
| 搜索关键词： | 反射率 led 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高反射率LED电极的制备方法，其特征在于，通过电子束真空蒸发的镀膜方式蒸镀电极，蒸镀电极膜层的先后顺序为Ni/Al/Rh/Ti/Ni/Au。
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