[发明专利]一种沟槽结构分光阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610959073.2 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN106525251B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 梁志清;刘子骥;伍浏权;王涛;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01J5/34 分类号: G01J5/34;G01J5/08;G02B27/10
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种双通道热释电分光探测器、设置其内的沟槽结构分光阵列及分光阵列的制备方法,涉及热释电探测器电子技术领域。本发明公开的双通道热释电分光探测器采用沟槽结构分光阵列能够克服现有技术中直线型并行多通道探测器探测率低、信号输出微弱的缺点,所述沟槽结构分光阵列是由多个分光单元组合形成具有V型槽结构的正方形分光阵列,本发明通过合理设计分光单元组合形成分光阵列,以实现将内置于探测器中的分光阵列作为分光器,保证了每个探测通道信号的独立性和稳定性,运用本发明双通道热释电探测器能够实现分析同种气体的不同吸收波段,进而实现更精确的测定,也能实现同步分析多种气体,从而提高监测效率。
搜索关键词: 分光 沟槽结构 双通道 热释电探测器 分光探测器 分光单元 热释电 制备 电子技术领域 多通道探测器 监测效率 探测通道 同步分析 同种气体 吸收波段 信号输出 分光器 探测率 探测器 独立性 并行 保证 分析
【主权项】:
1.一种沟槽结构分光阵列的制备方法,其特征在于,将正方形镍铬片竖直均分为30~60个小矩形格,每个小矩形格内刻蚀工艺同步进行,任意一个小矩形格内刻蚀方法包括部分刻蚀和其后的整体刻蚀,任一小矩形格内刻蚀的具体步骤如下:步骤A:部分刻蚀;以矩形镍铬片表面两条短边中点连线为对称轴分为对称的区域一和区域二,然后采用光刻工艺分别在两个区域依次刻蚀,得到两个相互对称的阶梯状斜面;步骤B:整体刻蚀;采用酸性刻蚀液对步骤A制得的镍铬片表面进行整体刻蚀,使得斜面的阶梯结构消失,进而在小矩形格内得到底面为矩形且具有两个平滑斜面形成倒V型表面的三棱柱结构,最终制得由多个三棱柱结构镍铬片形成的具有V型槽结构的正方形分光阵列。
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