[发明专利]一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺

摘要

一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，它涉及触摸屏领域，特别涉及一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺。本发明的目的是要解决现有手机触摸屏的硬度低、不易耐刮花和达不到环保效果的问题。制备工艺包括在基材的下表面依次形成阻挡层、导电层、电桥层、绝缘层、感应层和保护层；再在基材的上表面涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备。本发明制备的高硬度耐刮花手机触摸屏工艺简单，生产效率提高了20%以上，生产成本降低了10%以上，耐刮花能力达到3H以上。本发明适用于制备高硬度耐刮花手机触摸屏。

主权项

一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：步骤1、在基材的下表面上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；所述真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层的工艺条件为：第一室的加热温度为70℃~ 80℃，第二室的加热温度为110℃~ 120℃，第三室的加热温度为170℃~ 180℃，第四室的加热温度为230℃~240℃，第五室的加热温度为270℃~280℃，第六室的加热温度为290℃~300℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃~325℃，总加热时间为550秒~750秒，所述基材的传送速度为35毫米/秒~ 55毫米/秒，真空度为2×10‑1Pa~3×10‑1Pa；所述真空溅镀第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W~5000W；步骤2、在所述阻挡层上涂覆导电材料，干燥后形成导电层；所述导电材料按重量份数由60份~98份有机导电聚合物、0.4份~24份成膜树脂、2份~15份高沸点极性溶剂和0.1份~1.5份表面活性剂组成；步骤3、在所述导电层上依次真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜，并在形成的Mo‑Al‑Mo 膜上蚀刻线路，形成电桥层；所述真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~60℃，第二室的加热温度为60℃~ 70℃，第三室的加热温度为70℃~80℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为850 秒~900 秒，所述玻璃基板的传送速度为20 毫米/秒~ 30 毫米/秒，真空度为2.5×10‑1Pa ~3.0×10‑1Pa；所述第一Mo 膜的溅射功率为2000W~3000W；所述Al 膜的溅射功率为10000W~14000W；所述第二Mo 膜的溅射功率为2000W~3000W；步骤4、在所述电桥层上涂覆绝缘胶形成绝缘层；步骤5、在所述绝缘层上真空溅镀氧化铟锡膜，并在所述氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；所述真空溅镀氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为650 秒~800秒，所述玻璃基板的传送速度为32毫米/秒~42毫米/秒，真空度为2×10‑1Pa ~ 3×10‑1Pa；真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3500W~4350W；步骤6、在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层；所述真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为900 秒~ 1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25 毫米/秒~ 30毫米/秒，真空度为2.5×10‑1Pa ~3.5×10‑1Pa；真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W~ 7750W；步骤7、在基材的上表面上涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备；所述的保护膜依次由保护透明膜层、防刮花层、使用透明膜层、钻石粉复合胶层和剥离透明膜层复合而成；所述保护透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述使用透明膜层的厚度为50μm~200μm；所述剥离透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述防刮花层的厚度为8μm~20μm；所述的保护透明膜层、使用透明膜层和剥离透明膜层为PET 材质，所述钻石粉复合胶层的厚度为250μm ~350μm。