[发明专利]一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610959284.6 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106435479B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 曹文田 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法，纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合物薄膜半导体的电子亲合能，或所述金属薄膜与所述铅的硫属化合物薄膜的接触界面形成肖特基结。制备方法，在衬底上生长一层透明的金属薄膜，然后在所述金属薄膜上生长一层铅的硫属化合物薄膜半导体材料。本发明采用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜接合，并在用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜的界面形成肖特基结，从而在薄膜内形成内建电场，对光生载流子移动和再分布，不需外加电场，完全达到光折变材料应用目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 半导体 折变 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.纳米半导体光折变薄膜材料在全息记录、相位调制或集成光学中的应用，其特征是，所述纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合物薄膜半导体的电子亲合能。
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