[发明专利]层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610959486.0 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106696408B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 木村龙一;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/06 | 分类号： | B32B27/06;B32B27/20;B32B27/08;B32B27/36;B32B7/06;B32B7/12;B32B3/04;B32B33/00;H01L21/683;C08J7/04;C09D161/06;C09D163/00;C09D133/08;C09D7/40 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法，本发明提供能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂的层叠体等。本发明涉及包括切割片和半导体背面保护薄膜的层叠体。切割片包括基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。固化后的半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃～80℃全部范围下为1GPa以上。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 联合体 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种层叠体，其包括：包含基材层和配置在所述基材层上的粘合剂层的切割片、和配置在所述粘合剂层上的半导体背面保护薄膜，固化后的所述半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃～80℃全部范围下为1GPa以上。
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