[发明专利]一种高K界面层的制备方法有效
| 申请号： | 201610959570.2 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106328496B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 温振平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高K界面层的制备方法，包括：第一步骤：提供硅衬底，并采用H2SO4和H2O2的混合溶液清洗所述硅衬底以去除样品表面的有机物；第二步骤：采用RCA清洗法清洗所述Si衬底；第三步骤：采用HF溶液清洗所述硅衬底，以有效清除硅衬底表面的原生氧化层；第四步骤：采用化学氧化法生长SiO2过渡层；第五步骤：采用纯氘气气氛和/或其同位素气氛下退火工艺使SiO2过渡层致密化；第六步骤：淀积高K材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 界面 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高K界面层的制备方法，其特征在于，包括：第一步骤：提供硅衬底，并采用H2SO4和H2O2的混合溶液清洗所述硅衬底以去除样品表面的有机物；第二步骤：采用RCA清洗法清洗所述硅衬底；第三步骤：采用HF溶液清洗所述硅衬底，以有效清除硅衬底表面的原生氧化层；第四步骤：采用化学氧化法生长SiO2过渡层，所述化学氧化法采用O3和H2O2；第五步骤：采用纯氘气气氛或其同位素气氛下退火工艺使SiO2过渡层致密化，致密化后的SiO2过渡层的厚度范围为![]()
第六步骤：淀积高K材料，所述高K材料为高K铪基栅介质材料，且所述SiO2过渡层与所述高K铪基栅介质材料之间形成Hf‑Si‑O的混合结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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