[发明专利]一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201610959893.1 申请日: 2016-10-27
公开(公告)号: CN106486602B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 张跃;司浩楠;康卓;廖庆亮 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法。该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂;所述添加剂可引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中;该种钙钛矿材料结构式为AMX3,其中A为有机阳离子,CH3NH3、NH2‑CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3中的一种或两种的混合物,M为Pb2+或Sn2+中的一种或两种的混合物,X为Cl,Br,I或SCN中的一种或多种的混合物。该方法将铵盐的引入降低了薄膜内部缺陷减少了表面态,提供了新的制备途径。工艺简单,成本低廉,重复性高,有助于提高钙钛矿薄膜的光学电学性能具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 引入 廉价 添加剂 制备 质量 钙钛矿 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂;所述添加剂引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中;所述高质量钙钛矿材料结构式为AMX3,其中A为有机阳离子,所述有机阳离子为CH3NH3、NH2‑CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3中的一种或两种的混合物,M为二价金属离子Pb2+或Sn2+中的一种或两种的混合物,X为一价卤素离子Cl‑,Br‑,I‑或SCN‑中的一种或多种的混合物。
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