[发明专利]一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法有效
申请号: | 201610959893.1 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN106486602B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 张跃;司浩楠;康卓;廖庆亮 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法。该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂;所述添加剂可引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中;该种钙钛矿材料结构式为AMX3,其中A为有机阳离子,CH3NH3、NH2‑CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3中的一种或两种的混合物,M为Pb2+或Sn2+中的一种或两种的混合物,X为Cl‑,Br‑,I‑或SCN‑中的一种或多种的混合物。该方法将铵盐的引入降低了薄膜内部缺陷减少了表面态,提供了新的制备途径。工艺简单,成本低廉,重复性高,有助于提高钙钛矿薄膜的光学电学性能具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 引入 廉价 添加剂 制备 质量 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法,其特征在于,该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂;所述添加剂引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中;所述高质量钙钛矿材料结构式为AMX3,其中A为有机阳离子,所述有机阳离子为CH3NH3、NH2‑CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3中的一种或两种的混合物,M为二价金属离子Pb2+或Sn2+中的一种或两种的混合物,X为一价卤素离子Cl‑,Br‑,I‑或SCN‑中的一种或多种的混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610959893.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT及其制备方法
- 下一篇:电池包
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择