[发明专利]K离子掺杂和高电压尖晶石/碳双层包覆的富锂正极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610960159.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106299342B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 庞胜利;王永刚;沈湘黔;徐凯杰;王文智;习小明;廖达前;黄承焕 | 申请（专利权）人： | 长沙矿冶研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/525;H01M4/36;H01M10/0525;H01M4/131 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种K离子掺杂和高电压尖晶石/碳双层包覆的富锂正极材料及其制备方法。该富锂正极材料包括K离子掺杂改性的核体以及包覆于核体表面的高电压尖晶石/碳双包覆层；核体为：Li1.2‑xKxMn0.6‑yNi0.2‑yCo2yO2，其中x=0.00‑0.1，y=0.00‑0.05；高电压尖晶石/碳双包覆层中高电压尖晶石层的组分为Li1‑xKxMn1.5‑yNi0.5‑yCo2yO4,其中x=0.0‑0.2，y=0.0‑0.1；碳包覆层为多巴胺聚合体热解碳和还原氧化石墨烯的复合结构。其制备方法包括通过喷雾干燥技术制备出K离子掺杂改性的核体，在其表面包覆多巴胺聚合体，在此基础上进行氧化石墨烯的包覆，通过后续烧结，从而制备出K离子掺杂和高电压尖晶石/碳双层包覆的富锂正极材料。本发明具有改性步骤易控，能显著提高富锂正极材料电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 电压 尖晶石 双层 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种K离子掺杂和高电压尖晶石/碳双层包覆的富锂正极材料，其特征在于，包括K离子掺杂改性的核体以及包覆于核体表面的高电压尖晶石/碳双包覆层；所述核体的结构式为：Li1.2‑xKxMn0.6‑yNi0.2‑yCo2yO2，其中x=0.00‑0.1，y=0.00‑0.05；所述高电压尖晶石/碳双包覆层中：高电压尖晶石层的组分为Li1‑xKxMn1.5‑yNi0.5‑yCo2yO4, 其中x=0.0‑0.2，y=0.0‑0.1；碳包覆层为多巴胺聚合体热解碳和还原氧化石墨烯的复合结构。
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