[发明专利]一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法

摘要

本发明公开了一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法，通过在室温和常压下，使用特定浓度的季铵盐表面活性剂溶液浸泡银纳米线透明导电膜，去除银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮PVP，PVP去除后，由于银纳米线的高表面能，银纳米线之间的结点将会接触、自动融合焊接，使银纳米线之间的结电阻得到显著降低，从而在提高银纳米线透明导电膜导电性的同时，提高了其透过率，避免了传统高温高压焊接对银纳米线导电网络和基底的破坏。本发明方法操作简便、成本低廉，适合于大规模工业生产。

主权项

一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)准备银纳米线透明导电膜，该银纳米线透明导电膜包括基底和设置在该基底单侧表面的银纳米线导电网络，该银纳米线导电网络由表面包覆有聚乙烯吡咯烷酮的银纳米线构成；将季铵盐表面活性剂溶解在溶剂中，配制得到浓度为0.0001～0.1mol/L的季铵盐表面活性剂溶液；(2)将准备的银纳米线透明导电膜浸泡在配制的季铵盐表面活性剂溶液中，直至银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮得到去除；(3)从季铵盐表面活性剂溶液中取出银纳米线透明导电膜，用去离子水冲洗后干燥，即得到导电性和透过率提高的银纳米线透明导电膜；所述的季铵盐表面活性剂为十二烷基溴化吡啶、十二烷基氯化吡啶、十二烷基二甲基苄基溴化铵、十二烷基二甲基苄基氯化铵、十二烷基二甲基乙基溴化铵、十二烷基三甲基溴化铵、十二烷基三甲基氯化铵、十四烷基氯化吡啶、十四烷基二甲基苄基氯化铵、十四烷基二甲基乙基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基溴化吡啶、十六烷基氯化吡啶、十六烷基苄基二甲基氯化铵、十六烷基二甲基乙基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵和十六烷基三甲基氯化铵中的至少一种。