[发明专利]背照式紫外雪崩探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种背照式紫外雪崩探测器，所述背照式紫外雪崩探测器由蓝宝石衬底、低温AlN核化层、高温AlN模板、AlN/AlGaN超晶格层、P+‑GaN接触层、P‑‑AlGaN吸收层、P‑Si电荷层、n‑‑Si倍增层、n+‑Si接触层、n型电极层和P型电极组成；另外，本发明还公开了一种背照式紫外雪崩探测器的制作方法；本发明的有益技术效果是：提供了一种背照式紫外雪崩探测器，其性能较好。

主权项

1.一种背照式紫外雪崩探测器，其特征在于：所述背照式紫外雪崩探测器由蓝宝石衬底（1）、低温AlN核化层（2）、高温AlN模板（3）、AlN/AlGaN超晶格层（4）、P+‑GaN接触层（5）、P‑‑AlGaN吸收层（6）、P‑Si电荷层（7）、n‑‑Si倍增层（8）、n+‑Si接触层（9）、n型电极层（10）和P型电极（11）组成；所述蓝宝石衬底（1）、低温AlN核化层（2）、高温AlN模板（3）、AlN/AlGaN超晶格层（4）、P+‑GaN接触层（5）、P‑‑AlGaN吸收层（6）、P‑Si电荷层（7）、n‑‑Si倍增层（8）、n+‑Si接触层（9）和n型电极层（10）从下至上依次层叠在一起；所述蓝宝石衬底（1）、低温AlN核化层（2）、高温AlN模板（3）、AlN/AlGaN超晶格层（4）和P+‑GaN接触层（5）的周向轮廓相同；所述P‑‑AlGaN吸收层（6）的周向轮廓小于P+‑GaN接触层（5）的周向轮廓，P‑‑AlGaN吸收层（6）位于P+‑GaN接触层（5）的中部，P+‑GaN接触层（5）上端面上P‑‑AlGaN吸收层（6）外围的区域形成电极区；所述P‑Si电荷层（7）的周向轮廓小于P‑‑AlGaN吸收层（6）的周向轮廓，P‑Si电荷层（7）位于P‑‑AlGaN吸收层（6）的中部；P‑Si电荷层（7）、n‑‑Si倍增层（8）、n+‑Si接触层（9）和n型电极层（10）的周向轮廓相同；P型电极（11）设置在所述电极区的表面。