[发明专利]一种台面二极管在审
| 申请号： | 201610960522.5 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106328718A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 冯春阳;李学良;马晓洁;戴建定;唐毅 | 申请（专利权）人： | 四川洪芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 629200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明半导体技术领域，尤其涉及一种耐高压应用的台面二极管，包括具有主沟槽的台面结构、覆盖在所述主沟槽的表面的钝化层，所述台面结构的PN结至少部分裸露于所述主沟槽的表面；其特征在于：所述台面结构还包括副沟槽，所述副沟槽设于所述主沟槽和所述电极之间，所述钝化层由所述主沟槽的表面延伸至所述副沟槽的表面并且覆盖所述副沟槽的表面。通过采用双沟槽结构和阻断部设计，提高了台面二极管的特性和可靠性，特别是在高压应用场合下。由于采用了双沟槽结构，对沟槽的形貌的技术要求可以进一步放宽，便于大规模制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台面 二极管 | ||
【主权项】：
一种台面二极管，包括具有主沟槽的台面结构、覆盖在所述主沟槽的表面的钝化层，所述台面结构的PN结至少部分裸露于所述主沟槽的表面；其特征在于：所述台面结构还包括副沟槽，所述副沟槽设于所述主沟槽和所述电极之间，所述钝化层由所述主沟槽的表面延伸至所述副沟槽的表面并且覆盖所述副沟槽的表面。
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