[发明专利]制作光敏区布线层的方法

摘要

本发明公开了一种制作光敏区布线层的方法，该方法在多晶硅层制作好后，通过激活操作对腐蚀液进行激活，然后将激活后的腐蚀液用于多晶硅层的腐蚀操作；本发明的有益技术效果是：提出了一种制作光敏区布线层的方法，该方法能改善湿法腐蚀的腐蚀稳定性，保证光敏区布线层的腐蚀效果，提高器件性能。

主权项

一种制作光敏区布线层的方法，所述光敏区布线层的材料采用多晶硅，光敏区布线层的层数不少于两层；制作过程中，前一多晶硅层制作好后，采用腐蚀工艺对前一多晶硅层进行腐蚀，以去除残留在前一多晶硅层边沿的多余多晶硅，然后再进行后续操作，其特征在于：所述腐蚀工艺采用湿法腐蚀，腐蚀操作按如下步骤进行：1）配制腐蚀液；所述腐蚀液为硝酸、氢氟酸和醋酸的混合溶液；2）制作激活材料；所述激活材料为生长有多晶硅介质的硅片；3）将激活材料浸入腐蚀液内，激活材料足量，待腐蚀液内的亚硝酸离子饱和后，将激活材料从腐蚀液中取出，获得激活后的腐蚀液；4）将激活后的腐蚀液用于前述光敏区布线层制作过程中的腐蚀操作。