[发明专利]一种有效功率高的薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201610961648.4 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106549041B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 上海禾馥电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 赵霞 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉公开了一种有效功率高的薄膜晶体管，包括：基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层上的源级和漏级，且源极与漏极相对设置，半导体层上表面在源极以及漏极投影处形成若干第一凹槽，欧姆接触层形成在半导体层上表面的源极以及漏极投影处，欧姆接触层形状随半导体层上表面形状变化而变化，源极和漏极形成在欧姆接触层上，当所述第一凹槽在栅极处形成投影时，栅极上表面在相应的投影区形成第二凹槽，所述第二凹槽形状尺寸与相应第一凹槽相同。本发明进一步降低半导体与源极以及漏极金属接触引起的功率消耗，提高薄膜晶体管有效功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 功率 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、在栅绝缘层表面上的半导体层、以及设置在半导体层上的源极 和漏极 ，且源极与漏极相对设置，其特征在于：半导体层上表面在源极以及漏极投影处形成若干第一凹槽，欧姆接触层形成在半导体层上表面的的源极以及漏极投影处，欧姆接触层形状随半导体层上表面形状变化而变化，源极和漏极形成在欧姆接触层上，当所述第一凹槽在栅极处形成投影时，栅极上表面在相应的投影区形成第二凹槽，所述第二凹槽形状尺寸与相应第一凹槽相同；所述半导体层两侧也形成欧姆接触层，源极以及漏极在欧姆接触层两侧边缘延伸，包裹欧姆接触层两侧边缘，所述半导体层材料为氧化物半导体，所述氧化物半导体材料为氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化镓锌或者其组合，所述半导体层由载流子浓度不同的多层半导体组成，所述多层半导体载流子浓度沿着由半导体层至源极以及漏极侧方向依次减小。
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