[发明专利]1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法

摘要

一种1064nm硅基雪崩探测器，所述1064nm硅基雪崩探测器包括衬底层、光敏区、雪崩区、保护环和截止环，其创新在于保护环的数量为两个，第一保护环设置在光敏区外围，光敏区的外周边沿位于第一保护环的径向中部，雪崩区与第一保护环之间留有间隔，第二保护环设置在第一保护环的外围，第二保护环和第一保护环之间留有间隔，截止环设置在第二保护环的外围，截止环和第二保护环之间留有间隔。本发明的有益技术效果是提出了一种1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法，该探测器具备较好的抗边缘击穿能力，能在高温环境下长期稳定工作。

主权项

一种1064nm硅基雪崩探测器，所述1064nm硅基雪崩探测器包括衬底层（11）、光敏区（8）、雪崩区（9）、保护环和截止环（3），所述光敏区（8）、雪崩区（9）、保护环和截止环（3）均形成在衬底层（11）上；所述保护环设置在光敏区（8）外围，所述截止环（3）设置在保护环的外围，所述雪崩区（9）形成在光敏区（8）中部，其特征在于：保护环的数量为两个，第一保护环（10）设置在光敏区（8）外围，光敏区（8）的外周边沿位于第一保护环（10）的径向中部，雪崩区（9）与第一保护环（10）之间留有间隔，第二保护环（4）设置在第一保护环（10）的外围，第二保护环（4）和第一保护环（10）之间留有间隔，截止环（3）设置在第二保护环（4）的外围，截止环（3）和第二保护环（4）之间留有间隔。