[发明专利]一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器有效
申请号: | 201610962449.5 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN106549076B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 王岭雪;钟海政;张猛蛟;陈远金;周青超;吴显刚;蔡毅 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/12 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 高燕燕;仇蕾安 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器,包括光敏区表面为像元级网格化结构的硅基面阵器件、量子点发光薄膜和微纳光学结构;微纳光学结构用于反射可见光、增透紫外辐射;量子点发光薄膜用于进行紫外至可见光的转换;量子点发光薄膜为量子点材料或者量子点复合材料;像元级网格化结构的硅基面阵器件用于探测量子点发光薄膜发射的可见光;量子点发光薄膜和硅基面阵器件二者通过微纳光学结构进行像素级耦合和光谱匹配。该探测器具有响应波段可调控、灵敏度较高、响应快速、面阵大、成本低、图像清晰度高的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 发光 薄膜 增强 紫外 成像 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器,其特征在于,包括光敏区表面为像元级网格化结构的硅基面阵器件、量子点发光薄膜和微纳光学结构;所述微纳光学结构用于反射可见光、增透紫外辐射;所述量子点发光薄膜用于进行紫外至可见光的转换;所述量子点发光薄膜为量子点材料或者量子点复合材料;所述像元级网格化结构的硅基面阵器件用于探测量子点发光薄膜发射的可见光;量子点发光薄膜和硅基面阵器件通过微纳光学结构进行像元级耦合和光谱匹配;其中硅基面阵器件中光敏区表面的像元级网格化结构是在硅基面阵器件的光敏区表面制作的像元之间的物理隔离结构,该像元级网格化结构中镶嵌有量子点发光薄膜,每个网格中的量子点发光薄膜受紫外辐射激发所发射的可见光只入射到这个网格对应的像元上;所述微纳光学结构覆盖于量子点发光薄膜之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的